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| 品牌 | Enlitech |
|---|
從 UV 到 SWIR 的寬光譜范圍
超過 50mm x 50mm 區域的高度均勻性超過 98%
超穩定光強度，可維持不穩定性 < 0.2% 長達10小時以上
高光強動態范圍，高達 140dB
200mm ~ 10mm 晶圓或芯片處理能力
用于準確可靠的 DC / CV、RF 測量
穩定的功能顯微鏡系統
整合硬件控制面板
自動晶圓裝載機
智能晶圓映射
模塊化卡盤
-80°C 至 180°C 的寬溫度范圍
*進的 CDA 熱控制技術，高斜坡率和高 T 穩定性
用于精確 CIS / ALS/ 光傳感器晶圓測試的超低噪聲
CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試
CIS / ALS / 光傳感器晶圓映射和良率檢查
ToF 傳感器測試
激光雷達傳感器測試
InGaAs PD 測試
SPAD 傳感器測試
光傳感器模擬參數測試：
量子效率
光譜響應
系統增益
靈敏度
動態范圍
暗電流/噪聲
信噪比
飽和容量
線性誤差（LE）
DCNU（暗電流非均勻性）
PRNU（光響應非均勻性）
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 測試儀（晶圓級）系統圖。高度均勻的光源由 PC-1 控制。光輸出由光纖引導到光學均化器以產生均勻的光束。顯微鏡和均質器由 PC-1 的自動平移臺控制，以切換位置和功能。Prober 系統為 MPI TS2000，由 PC-2 控制?？ūP臺的位置也由 PC-2 控制。熱卡盤溫度可控制在 -55 ℃ 至180 ℃ ，涵蓋了大部分 IC 測試溫度范圍。光強度由一個 Si 光電探測器和一個 InGaAs 光電探測器通過皮安電流表檢測和校準。
SG-O 為您在 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試中需要的所有內容提供完整的規范。以下是主要組件及其詳細信息。如果您需要更多詳細信息，請隨時與我們聯系！
光譜范圍：400nm 至 1700nm
色溫：3000K 至 5200K
均勻照明面積：42mm x 25mm，工作距離 >200mm
照度均勻度：優于98%
短期光不穩定性：≤ 1% 超過 1 小時
長期光不穩定性：≤ 1% 超過 10 小時
DUT與最后一個光學組件之間的工作距離：≥200mm工作距離
單色光生成：
10nm FWHM 中心波長：420nm, 450nm, 490nm, 510nm, 550nm, 570nm, 620nm, 670nm, 680nm, 710nm, 780nm, 870nm
25nm FWHM 中心波長：1010nm, 1250nm, 1450nm
45±5nm FWHM 中心波長： 815nm
50nm FWHM 的中心波長：1600nm
60±5nm FWHM 中心波長：650nm
70±5nm FWHM 的中心波長：485nm, 555nm
100±5nm FWHM 的中心波長：1600nm
帶外透光率 ≤ 0.01%
帶通區峰值傳輸 ≥ 80%
中心波長容差：(a) ≤ ±2nm；(b)~(g) ≤ ±5nm
FWHM 容差：(a) ≤ ±2nm；(b)~(g) ≤ ±5nm
可變衰減器：PC 控制的 3-decade 分辨率，至少 1000步
晶圓尺寸能力：200mm、150mm、100mm 晶圓和尺寸大于 1cm x 1cm 的單芯片
晶圓處理：單晶圓，手動進料型
半自動化：一步手動對準教和自動模步進
XYZ 平臺
卡盤 XY 載物臺行程：210mm x 300mm
卡盤 XY 平臺分辨率：優于 0.5um
夾頭 XY 平臺精度：優于 2.0um
卡盤 XY 平臺速度：最慢：10 微米/秒，最快：50 毫米/秒
Chuck Z 載物臺行程：50mm
Chuck Z 平臺分辨率：0.2um
卡盤 Z 平臺精度：±2.0um
Theta 平臺
Theta 載物臺行程：± 5 度運動范圍
Theta 分辨率：優于 0.01 度
Theta 精度：0.1 度
卡盤
卡盤平整度 ≤ 10um
卡盤熱操作：-60°C 至 200°C
25°C 時的卡盤泄漏： 25°C 時在 10V 偏壓下每個電壓 ≤ 20fA
卡盤剩余電容 ≤ 95fF
探針卡
探針卡尺寸：4.5 英寸至 8 英寸長
探針卡座與壓板之間的間隙：≥ 7.5mm
微型腔室
EMI 屏蔽：在 1kHz 至 1MHz 范圍內 ≥ 30dB
系統交流噪聲：≤ 5mVp -p
微型定位器
顯微鏡
隔振臺
光譜范圍：400nm 至 1600nm
波長分辨率：400nm 到 1000nm 增加步長 < 1nm；1000nm 到 1600nm 增加步長 < 3.5nm
校準：NIST 可追溯校準證書
SG-O 集成了 Enlitech 的高級光模擬器技術和 MPI 自動探針系統。Enlitech 提供多種光學選項以滿足用戶對 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試的要求，包括波長范圍、光強度和均勻光束尺寸。我們擁有數十年的經驗，可以幫助客戶解決 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試和設計變化的挑戰。請隨時與我們聯系以獲取更多詳細信息。我們的專業團隊將為您提供幫助！
SG-O 系統的操作軟件。對于高度均勻光源控制軟件，SG-O 提供光源系統控制和光強測量。提供了各個光學組件的 Labview 功能調色板、驅動程序 / DLL 文件。該軟件控制所述平移臺以促進照射大是在零件的設備。集成鏈接的整合包括發送 / 接收命令，例如芯片步進、芯片對齊 / 探測等。
來自 SG-O 顯微鏡系統的 CIS / ALS / 光傳感器芯片圖像
CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓的探針卡安裝圖
用于 CIS / ALS / 光傳感器晶圓檢測的探針頭圖像
SG-O CIS 晶圓級測試儀的光均化器
SG-O CIS 晶圓級測試儀光均化器的光學模擬和性能
光束均勻度，在 420nm 下用 42mm x 25mm 測試光束點均勻性，不均勻度為 1% 圖示
光束均勻度，束斑尺寸為 50mm x 50mm，不均勻性為 1.43% 圖示
不同波長的單色光強度，從紫外到近紅外；光強度由Si輻照度計測量，光強度范圍能夠用于各種 CIS / ALS / 光傳感器測試圖示
從 NIR 到 SWIR 不同波長的單色光強度，光強度由 InGaAs 輻照度計測量圖示
SG-O 的高度均勻光源具有一個超穩定的光引擎，在整個波長范圍內，短期或長期的光強不穩定性均優于 0.2%。
圖示在 420nm 單色光輸出下測試光強度短期不穩定性，光不穩定性由 Si 輻照度計監測 60 分鐘，1 小時的不穩定性為 0.12%
圖示在 1250nm 單色光輸出下測試光強短期不穩定性, 光不穩定性由 SInGaAs 輻照度計監測 60 分鐘，1 小時的不穩定性為 0.09%
在 420nm 單色光輸出下測試光強度短期不穩定性，光不穩定性由 Si 輻照度計監測 10 小時，10 小時的不穩定性為 0.1% 圖示
在 1250nm 單色光輸出下測試光強短期不穩定性，光不穩定性由 SInGaAs 輻照度計監測 10 小時，10 小時不穩定性為 0.06% 圖示
圖示為 SG-O 系統的光強衰減器，光輸出強度可以通過 PC 至少 1000 步分辨率來控制
自動探測器的情況說明書，SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀集成了 MPI 探針，更多細節可以在 MPI 的網站上找到
數據源： MPI
SG-O 探針系統中內置了自動單芯片裝載機。便于CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓裝載。裝載和卸除晶圓對用戶來說是直接和直觀的。上料室前部還集成了溫度控制面板，方便操作。
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀還具有手動加載功能，可以從前門手動加載晶圓。該前門具有安全管理功能，可自動監測卡盤溫度并防止在測試過程中打開門，以保護 CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓和用戶的安全。
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀的熱卡盤由 ERS 最小化的 CDA 系統控制溫度，比以前效率更高。溫度范圍可覆蓋 -80°C 至 180°C（取決于 ERA’a型號）。通過使用單獨的閥門可以進行氮氣吹掃。對于 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試，目標溫度上升速率和穩定性非常出色，可在任何
條件下（例如空間）進行。
探針卡尺寸能力可以從 4.5 英寸到 8 英寸長，如圖所示 DUT 與 SG-O 高均勻光源最后一個光學組件的工作距離超過 200mm
探針卡尺寸能力可以從 4.5 英寸到 8 英寸長，如圖所示 DUT 與 SG-O 高均勻光源最后一個光學組件的工作距離超過 200mm
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